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高电子迁移率晶体管建模理论与实践  

著        者:

作  译  者:高建军

出版时间:2025-12 千 字 数:379 版     次:01-01 页 数:292

开       本:16开 装      帧: I S B N :9787121517495

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纸质书定价:¥128.0

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GaAs及有关化合物半导体已经成为继硅之后最重要的半导体材料,其商业应用包括移动通信、无线通信、光纤通信、全球定位系统、直播卫星系统、自动防撞系统、高频雷达等。本书是作者在微波和光通信技术领域多年工作、学习、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结,内容包括微波网络信号矩阵技术和微波网络噪声矩阵技术,以及以此为基础的微波射频高电子迁移率晶体管建模和测试技术。微波射频场效应晶体管的小信号等效电路模型、大信号非线性等效电路模型和噪声等效电路模型,以及等效电路模型的参数提取技术是本书的重点内容。

  
 

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